BAUTEILANALYSATOR FÃœR HALBLEITER

automatische Erkennung von Bauteilen automatische Erkennung von Anschlussstiften Identifizierung spezifischer Merkmale wie Erkennung von Schutzdioden und Shunt-Widerständen bipolare Transistoren: Messungen der Stromverstärkung und des Stromverlusts, Erkennung von Silizium oder Germanium Messung der Schwellenspannung für MOSFETs im Anreicherungsmodus Messung der Leiterspannung von Dioden, LEDs und Basis-Emitter-Ãœbergängen in Transistoren automatische und manuelle AbschaltungZusammenfassung der Spezifikationen bei 20°C (68°F), sofern nicht anders angegeben Spitzenkurzschlussstrom (ISC): -5,5 mA bis 5,5 mA Spitzen-Leerlaufspannung (VOC): -5,1 V bis 5,1 V Transistor: Verstärkungsbereich (HFE): 4 - 65 000 Verstärkungsgenauigkeit: ± 3% ± 5 Hfe Kollektor-Emitter-Prüfspannung (VCEO): 2,0 V - 3,0 V Basis-Emitter-Spannungsgenauigkeit VBE: -2% -20 mV bis +2% + 20 mV Basis-Emitter-Spannung VBE für Darlington-Transistor (shunted): 0.95 V - 1,80 V (0,75 V - 1,80 V) Basis-Emitter-Spannungen. 50 kΩ, - 70 kΩ, BJT Kollektorteststrom: 2,45 mA - 2,55 mA, BJT zulässiger Leckstrom: 0,7 mA, MOSFET: Gate-Source-Spannungsbereich: 0,1 V - 5,0 V, Schwellenwertgenauigkeit: -2% -20 mV bis +2% + 20 mV, Drainstrom: 2.45 mA - 255 mA, Gate-Widerstand: 8 kΩ, Drain-Verarmungsprüfstrom: 4,5 mA, JFET-Drain-Source-Prüfspannung: 0,5 mA - 5,5 mA, Thyristor/Triac: Gatestrom: 4,5 mA, Haltestrom: 5,0 mA, Diode: Prüfstrom: 5,0 mA, Spannungsgenauigkeit: -2% -20 mV bis +2% + 20 mV, Leitwertspannung für LED-Kennung: 1.50 V - 4.00 V, Kurzschlussschwelle: 10 Ω, Batterie: Typ: MN21 / L1028 / GP23A 12 V Alkaline, Spannungsbereich: 7.50 V - 12 V, Alarmschwelle: 8.25 V, Abmessungen: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8"), Gewicht pro Produkt (netto): 0.098kg (3.5oz), Betriebstemperatur: 0°C~50°C (32F ~ 122F)